型号：

Remover PG

主要成分：

N-甲基-2-吡咯烷酮 CAS：872-50-4

原理与使用方法：

由于溶解的光刻胶的含量增加，去胶剂随着长时间的使用其去胶效果在逐渐变弱。即使仍未达到理论上的饱和极限（远高于50％的固含量），使用过溶液会随着颗粒的富集并变得不透明，因此不再适合进行重复清洗。常见的做法是级联清洗，尽可能的高效和完全去除Si、二氧化硅、砷化镓和许多其他衬底表面上的PMGI、PMMA、SU-8和其他抗蚀剂膜。并且对去胶过程的要求是：迅速去胶且没有残留，对衬底以及沉积在上面的材料无损伤。

使用方法：

1、将衬底浸泡在50-80℃的Remover PG中，以去除大部分的光刻胶。

2、将第一步中的衬底浸泡在新的50-80℃的Remover PG中，去除剩余的材料痕迹。在去胶的过程中应及时更换去胶液，提高去胶速率。

3、将上述衬底浸泡在IPA溶剂中进行漂洗，溶解少部分残留的去胶液。

4、用去离子水进行冲洗。然后氮气吹干。 注意：在去胶发生困难的情况下（例如在密集的等离子蚀刻或溅射之后），超声或兆声清洗会对去除光刻胶带来很大的帮助。但是，在此过程中必须保护衬底上的敏感结构，不能被破坏。

储存:

远离易燃、会产生火花、火焰、高温的表面，禁止吸烟。

确保工作间有良好的通风、排气装置。