定义：

光刻是半导体制造工艺中器件和电路结构图形从掩膜转移到半导体晶片的过程。光刻是通过曝光工序将掩膜版上的图案转移到半导体晶片表面的抗蚀剂膜上，再通过显影工艺溶解去除或者保留被曝光区域的抗蚀剂膜， 使抗蚀剂膜生成与掩膜版相同的版图，最后利用抗蚀剂的掩蔽作用，选择刻蚀半导体晶片材料，实现将掩膜版上的图形转移到半导体晶片表面上的目的。此外，光刻形成的图案还能够作为淀积薄膜过程的保护层。

类型：

包括紫外接触接近式光刻、紫外投影步进式光刻、电子束光刻等；可在硅片、玻璃、石英、蓝宝石等硬质衬底及PI等柔性材料上进行光刻加工。

特殊光刻加工类型包括耐电镀高深宽比光刻、分辨率测试、光刻胶结构测试、SU8双层胶结构、悬空SU8结构等。