定义：

刻蚀是通过物理化学方法将需要去除的材料从衬底上去除的一个可控的过程，刻蚀后在硅片上呈现出逻辑电路结构。刻蚀工艺主要有两大类：湿法和干法刻蚀。湿法刻蚀是将晶片浸没于适当的化学溶液中，或将化学溶液喷洒至晶片上，经由溶液与被刻蚀物间的化学反应，来移除薄膜表面的原子，一般称之为腐蚀。干法刻蚀是指利用具有一定能量的离子或原子通过离子的物理轰击、化学腐蚀，或者两者的协同作用达到刻蚀的目的。两种方法的主要目标都是将光刻掩模版上的图形精确地转移到半导体晶圆的表面。

类型：

干法刻蚀：深硅刻蚀（亚微米深刻蚀、异形深硅刻蚀）、NoBosch工艺、离子束刻蚀、金属干法刻蚀、介质膜（氮化硅、氧化硅等）刻蚀、Ⅲ-Ⅴ族化合物材料刻蚀、NLD（磁中性环路放电）刻蚀（石英、氧化硅深刻蚀）等。

湿法刻蚀：KOH各向异性腐蚀、硅各向同性腐蚀等。