产品名称：

氧化硅片

氧化硅片是指表面有氧化层的硅片，一般是运用热氧化工艺在硅片表面生长一层SiO2薄膜。热氧化生长方式分为干氧氧化（包括掺氯氧化）、湿氧氧化以及水汽氧化。相较于CVD沉积的方法，热氧化生长的氧化膜层致密性更好、介电强度更高。

应用：

集成电路领域（电容器、场效应管、微电子学元件等）；光电子学及光通讯领域（光纤通信器件、激光器等）；真空技术领域；生物医药领域（微流控器件、生物MEMS、生物芯片等）。

参数详情：

1、直径：2~8英寸

2、厚度范围：200μm~750μm

3、氧化层厚度范围：20nm-20um

4、晶向：<100>

5、单抛、双抛

6、N型、P型

优势：

1、氧化层均匀致密、膜层质量好。

2、表面光滑无瑕疵；平整度好、翘曲度小。

3、公司常备各种型号库存，由大规模生产型氧化炉管热氧化加工。

4、厚度＞2um的氧化层，可以定制加工（详情请咨询客服）。

5、本司会根据您的工艺应用，为您推荐适用的氧化硅片型号。