产品名称：

硅外延片

硅外延片就是在硅衬底上沿着原来的结晶方向生长一层单晶硅的硅片。这层单晶硅的晶体结构是利用衬底的晶体结构作为模板形成的。外延层是为了满足掺杂类型、电阻率和晶格结构等都符合要求的一些特定器件。

应用：

1、集成电路领域：逻辑器件的CMOS（互补型金属氧化物半导体）、DRAM（动态随机存取存储器）、分立器件等。

2、太阳能领域：太阳能电池等。

3、光电领域：光电探测器等。

4、高速电子器件领域：微波器件、高频放大器等。

参数：

加工的厚度可定制，详情可咨询客服。

（用于高速数字电路的典型厚度是0.5~5um，用于硅功率器件的典型厚度是50~100um。）

优势：

1、外延可以在重掺杂的衬底上生长一层轻掺杂的外延层，不仅优化了PN结击穿电压，同时也降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。

2、外延层通常是没有沾污的（因为外延层不是用真正的CZ法生长的硅层，所以不存在氧颗粒等缺陷）。