产品介绍：
SOI(silicon-on-insulator)，即绝缘体上硅，也可理解为在衬底和表面硅薄层间插入一层绝缘层材料。目前主要有注入氧分术(SIMOX)、键合回刻(BESOI)、智能剪切(Smart-Cut)和注氧键合技术(Sim-bond)四种生产方式。
产品分类：
根据不同生产方式分为四类：注入氧分术(SIMOX)、键合回刻(BESOI)、智能剪切(Smart-Cut)和注氧键合技术(Sim-bond)。
规格参数：
直径2~8英寸，器件层厚度100nm~几十μm，不同电阻率大小，背封氧化层厚度，TTV/WORP/BOW等。
产品应用：
SOI硅片主要应用于要求低功耗、高性能和高可靠性的高端芯片领域，如射频前端模块、汽车电子、航空航天及先进微处理器等。
产品优势：
SOI具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小等优点，我司SOI均为大厂生产，埋氧层均匀致密，质量有保障。我司SOI库存丰富，可1片起订，也可定制加工。
