产品介绍：
氮化硅片是指表面有氮化硅层的硅片，一般使用LPCVD方式在硅片上双面沉积氮化硅，也可通过PECVD方式单面沉积氮化硅。
产品分类：
根据氮化硅层应力大小，可分为普通应力氮化硅片和低应力氮化硅片，低应力氮化硅片应力大概在几十mpa。
规格参数：
直径2-8寸，硅片厚度200~1000μm，氮化层20nm~1μm，常规应力/低应力，双面/单面氮化层。
产品应用：
氮化硅片主要用于高温、高功率及高频电子器件，并广泛应用于光伏、电动汽车和工业机械等领域的耐磨耐蚀部件。
产品优势：
低压化学气相沉积（LPCVD）的氮化硅薄膜是双面的，这样加工的氮化层致密性更好、更耐腐蚀，薄膜硬度大、掩膜性更好，能够更加广泛地应用于碱性溶液刻蚀硅材料的掩膜层中。
另外，PECVD单面沉积氮化硅一次只能加工1片，LPCVD氮化硅一次可以加工50片，生产效率更高更经济。
