综合器件

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超薄器件（硅应变片、石英晶振等）

工艺介绍：

1、硅基底最薄能做到12-13um；

2、石英基底最薄能做到20um左右；

3、临时键合后衬底TTV＜3um；

4、临时键合尺寸：一般整晶圆加工，8寸及以下兼容。



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