产品分类：

GeSbTe靶，GaSb靶，Carbon靶，TiTe2靶，GaTe靶，Bi2Te3靶，Sc靶，La靶等

应用说明：

相变存储技术（PCM），作为新一代存储技术，利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转换的相变来储存数据，其芯片广泛使用的核心材料是GST(由锗锑碲按比例混合而成)。PCM 的写入速度比flash快100倍，并具备高达百万次的数据擦写能力(普通USB 3000次，企业级flash 3万次)以及非易失性等优势，成为存储产业继DRAM、ROM、FLASH 的“后起之秀”。在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。

而硫系相变存储材料GST（Ge2Sb2Te5）是目前相变存储器研究中最为成熟最为理想的材料，GST材料的优点是结晶速度快，非晶态和晶态的光电性能差别大。GaSb靶是一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料。