机械物理清洗
一、刷洗刷洗是最基础，最常用的物理清洗方式，采用软质特氟龙刷配合去离子水、湿法清洗溶液等喷淋，通过刷子的机械摩擦作用，高效去除晶圆表面微米级别的大颗粒沾污，同时可辅助去除部分零散附着的有机沾污。我司的刷洗设备搭载平头圆刷和滚动轮刷，刷头材质为PVA（聚乙烯醇），该材质孔隙率高、质地柔软，可在与晶圆表面接触时实现均匀的压...
2026.06.23
2025年第九届研材微纳杯优秀论文征集活动已圆满结束，具体获奖情况可关注我司公众号：
研材—美图—博研
一、刷洗刷洗是最基础，最常用的物理清洗方式，采用软质特氟龙刷配合去离子水、湿法清洗溶液等喷淋，通过刷子的机械摩擦作用，高效去除晶圆表面微米级别的大颗粒沾污，同时可辅助去除部分零散附着的有机沾污。我司的刷洗设备搭载平头圆刷和滚动轮刷，刷头材质为PVA（聚乙烯醇），该材质孔隙率高、质地柔软，可在与晶圆表面接触时实现均匀的压...
一、前言除了此前介绍过的RCA清洗工艺以外，常见的湿法清洗还包括SPM、DHF、BHF等多种专用化学清洗体系。二、湿法清洗1、SPM清洗SPM溶液由硫酸（H₂SO₄）与双氧水（H₂O₂）按一定比例混合而成。其核心清洗目标是去除晶圆表面的光刻胶及重有机污染物，如聚合残渣、油脂等，SPM是目前去除有机污染能力最强的湿法清洗...
一、前言在半导体器件制造流程中，晶圆表面的洁净度直接决定了器件的良率、可靠性与性能。晶圆从硅锭切割成型后，表面会不可避免地附着颗粒杂质、有机残留、金属污染物及自然氧化层，即使是微米级甚至纳米级的杂质，也可能导致器件功能失效，因此晶圆清洗是半导体制造流程中不可或缺的关键工序。晶圆清洗并非简单的表面清洁，而是基于工艺需求所...
本系列上一篇介绍了光刻胶剥离工艺的基本概念、剥离液体系的选择与作用机理、负胶的基本化学机制、底切形成的物理机制。本篇将继续从工艺参数对底切的调控、截面形貌对剥离工艺的影响、特殊工艺技术探讨光刻胶形貌对湿法剥离工艺的影响。一、工艺参数对底切的调控1、曝光剂量底切的程度可以通过多种工艺参数进行精确调控，其中曝光剂量是最直接...
光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键技术环节，直接影响器件的性能和良率。在金属互连、微机电系统（MEMS）器件、光电器件等制造过程中，光刻胶剥离工艺承担着图案转移和材料去除的双重功能。I-line 光刻胶作为 i 线（365nm）光刻的主流材料，在微纳加工领域应用广泛。其湿法剥离工艺相比干法剥离具有设备成本低、...
离子注入是一种掺杂技术，通过在真空中将特定元素的离子高速轰击至半导体材料（通常是硅片）中，从而精确、可控地改变其电学性能。它是现代集成电路制造中不可或缺的关键步骤。一、离子注入的目的与作用简单来说，离子注入的目的就是在指定的区域，精确地掺入特定种类和数量的杂质原子，从而形成所需的N型或P型半导体区。这些区域共同构成了晶...
